ProE-Vap 傳輸系統(tǒng)專為原子層沉積 (ALD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD) 工藝中使用的固體前驅(qū)體而設(shè)計(jì)。它能為當(dāng)前和未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)中使用的各種固體材料提供穩(wěn)定的質(zhì)量流量。固體前驅(qū)體由于蒸汽壓力低、熱穩(wěn)定性有限,很難穩(wěn)定地輸送到沉積室中。ProE-Vap 系統(tǒng)克服了這些問題,提供了業(yè)內(nèi)適配解決方案。與其他蒸發(fā)器相比,ProE-Vap 傳輸系統(tǒng)能以更低的溫度更穩(wěn)定地傳輸固體前驅(qū)體,從而降低 ALD 和 CVD 的擁有成本。它能很大限度地減少化學(xué)濃度漂移,從而提高晶圓產(chǎn)量,減少工具停機(jī)時(shí)間。自 2008 年以來,ProE-Vap 已在大批量生產(chǎn)環(huán)境中證明了其高可靠性和強(qiáng)大的性能。它支持輸送制造高度復(fù)雜的微電子器件所需的各種無機(jī)和過渡金屬前驅(qū)體。提供多種配置,可安裝在不同的 OEM 工具套件上
用于固體前驅(qū)體輸送的創(chuàng)新設(shè)計(jì)安瓿
在較低溫度下提供更高的質(zhì)量流量
支持氣動(dòng)和手動(dòng)閥門選項(xiàng)
整體性能高,在蒸發(fā)器使用壽命內(nèi)流量始終如一
經(jīng)證明可用于半導(dǎo)體應(yīng)用中的多種固體前驅(qū)體,并可用于 LED 等其他新興技術(shù)
可有效使用前驅(qū)體,大限度地減少過熱導(dǎo)致的分解
與多個(gè) OEM 工具兼容;支持開發(fā)型大批量晶片處理
降低擁有成本
材料汽化表面積增加 6 倍
托盤可改善材料的熱傳導(dǎo),從而提高熱均勻性
載氣流穿過固體表面,以提高汽化材料的拾取率
產(chǎn)地:美國(guó)
Max溫度:200 至 250°C (392 至 482 °F),視配置而定
Max壓力:工作溫度下 100 psig
外形尺寸(高×寬):258.27 × 139.7 mm(10.17 × 5.5 英寸)
氣體入口位置:中軸
接頭類型:1⁄4 " 內(nèi)螺紋 VCR
高度:257 mm(10.12 英寸)
氣體出口位置:偏離中軸1.5"
接頭類型:1⁄4 " 外螺紋 VCR
高度:258.27 mm(10.17 英寸)
材質(zhì):316L SS
表面處理:≤ 10 Ra
載氣:UHP He(氦氣)、UHP N2(氮?dú)猓?、UHP Ar(氬氣)
頂氣:5 psi He
原子層沉積、高κ電容器和門控電容器、金屬壁壘和電極、無氟鎢 (FFW)