BD SENSORS硅傳感器iS 4

利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機(jī)械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當(dāng)受到外力作用時(shí)產(chǎn)生微應(yīng)變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變?。┰诩?lì)電壓信號(hào)輸出，經(jīng)過計(jì)算機(jī)溫度補(bǔ)償、激光調(diào)阻、信號(hào)放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測、標(biāo)定等工藝，生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號(hào)的壓力變送器

公稱壓力 0 至 10 巴

符合 V 1.1 規(guī)范的 IO-Link

精度 0.5 % FSO

硅傳感器，RTV

結(jié)構(gòu)緊湊

產(chǎn)地：德國

輸入壓力范圍

額定壓力表：10 bar

超壓：13 bar

輸出信號(hào) / 電源

標(biāo)準(zhǔn) IO-Link（測量值和狀態(tài)傳輸）/ V_S = 18 至 30 VDC

SIO（開關(guān)輸出），通過 LED 指示狀態(tài)（綠色）

IO-Link：V 1.1 / 從站 / 智能傳感器配置文件

數(shù)據(jù)傳輸：COM2 38.4 kbit/s

模式：SIO / IO-Link (COMx)

標(biāo)準(zhǔn)：IEC 61131-2、IEC 61131-9

精度：≤ ± 0.5 % FSO

開關(guān)電流（SIO 模式）：max. 200 mA

開關(guān)頻率：max. 200 Hz

開關(guān)周期：> 100 x 10⁶

長期穩(wěn)定性：≤ ± 0.3 % FSO /年（參考條件下

開啟時(shí)間 SIO 模式：約. 20 ms

響應(yīng)時(shí)間 SIO 模式：< 4 ms

測量速率：400 Hz

熱效應(yīng)（偏移和跨度）/允許溫度

公差帶：≤ ± 2 % FSO

TC，平均值：≤ ± 0.4 % FSO / 10 K

補(bǔ)償溫度范圍：0 至 50 °C

中 / 電子 / 環(huán)境溫度：-25 至 85 °C

存儲(chǔ)溫度：-40 至 85 °C

電氣保護(hù)

短路保護(hù)：長久性

反極性保護(hù)：無損壞，但也無功能

電磁兼容性：發(fā)射和抗擾性符合 EN 61326 標(biāo)準(zhǔn)

機(jī)械與設(shè)備工程、暖通空調(diào)