高壓片式電阻器HVC系列結合了專有的細線厚膜技術和設計,實現(xiàn)了SMD片式電阻器的高電壓額定值和穩(wěn)定性的新水平。與傳統(tǒng)厚膜芯片電阻器相比,Nicrom的技術具有更長、高縱橫比的低電阻率薄膜跡線。
與標準芯片電阻器相比,Nicrom的HVC系列提供了無與倫比的性能和設計效率,從而降低了電壓系數(shù)和溫度系數(shù)、降低了噪聲、更嚴格的公差、更高的穩(wěn)定性、更高電阻值和更高的電壓額定值。提供可接線鍵合的金端子和定制配置。
電阻值:所有型號從1K到高達100G(根據(jù)要求為1T)
公差:0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、2%、5%、10%、20%(0.05%適用于10G,0.25%適用于100G)
溫度系數(shù):5、10、15、25、50和100 ppm/°C(10G可用10 ppm/°C,100G可用25 ppm/°)
工作溫度:-55…+200°C(可將溫度范圍擴展至350°C)
絕緣電阻:>10’000 M 500 V 25°C 75%相對濕度
介電強度:>1'000伏25°C 75%相對濕度
熱沖擊:R/R<0.1%典型值,max.0.50% MIL Std. 202,method 107 Cond. C IEC 68 - 2 -14
過載:R/R<0.1%典型值,0.50%max.1,5 x Pnom,5秒(不超過MAX電壓)
防潮性:R/R<0.1%典型值,max.0.50%MIL標準202,方法106 IEC 68-2-3
負載壽命:R/R<0.1%典型值,額定功率下max.0.50%1000小時IEC 115-1
封裝:絲網(wǎng)印刷硅膠
核心材料
Al2O3(96%)
焊盤材料:銀(PdAg)/可粘結金/鍍錫電阻材料氧化釕