AMPTEK硅漂移探測(cè)器FAST SDD

Amptek將硅片制造引入內(nèi)部，并改進(jìn)了工藝。其結(jié)果是探測(cè)器具有更低的噪聲、更低的泄漏電流、更好的電荷收集以及探測(cè)器之間的均勻性。這使其成為性能更好的硅漂移探測(cè)器。

FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移檢測(cè)器（SDD），能夠在保持分辨率的同時(shí)，計(jì)數(shù)率超過1000000 CPS（每秒計(jì)數(shù)）。FAST SDD還可與C系列（Si3N4）低能窗一起使用，用于軟x射線分析。

與傳統(tǒng)SDD不同，F(xiàn)AST SDD在密封的TO-8封裝內(nèi)使用結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和外部前置放大器，在TO-8封裝內(nèi)部使用互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）前置放大器，并用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）代替JFET。這降低了電容，提供了更低的串聯(lián)噪聲，并在極短的峰值時(shí)間內(nèi)提高了分辨率。FAST SDD使用相同的檢測(cè)器，但前置放大器在短峰值時(shí)間內(nèi)提供較低的噪聲。改進(jìn)的（較低的）分辨率能夠隔離/分離具有接近能量值的熒光X射線，否則峰值將重疊，從而允許用戶更好地識(shí)別其樣品中的所有元素。峰值時(shí)間短也會(huì)提高計(jì)數(shù)率；更多的計(jì)數(shù)提供更好的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。

• 25 mm²的活動(dòng)面積校準(zhǔn)為17 mm²
• 也可提供70 mm²準(zhǔn)直至50 mm²
• 9 keV時(shí)的122 eV FWHM分辨率
• 計(jì)數(shù)率>1000000 CPS
• 高峰值與背景比–26000/1
• 前置放大器輸出上升時(shí)間<35 ns
• 窗口：Be（5密耳）12.5µm，或C系列（Si3N4）
• 抗輻射
• 探測(cè)器厚度500µm
• TO-8包裝
• 冷卻ΔT>85 K
• 多層準(zhǔn)直器

• 探測(cè)器類型：帶CMOS前置放大器的硅漂移檢測(cè)器（SDD）
• 探測(cè)器尺寸：25 mm²-校準(zhǔn)至17 mm²，也可提供70mm²-準(zhǔn)直至50mm²
• 硅厚度：500µm或1000um可用
• 準(zhǔn)直器內(nèi)部：多層準(zhǔn)直器（ML）
• 4µs峰值時(shí)間下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM時(shí)的能量分辨率（保證）
• 峰值與背景：20000:1（計(jì)數(shù)比從5.9 keV到1 keV）（典型）
• 探測(cè)器窗口選項(xiàng)：鈹（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm），C系列（Si3N4）低能耗窗戶
• 電荷敏感型前置放大器：CMOS
• 增益穩(wěn)定性：<20 ppm/°C（典型）
• 總功率：<2瓦
• 設(shè)備壽命：通常為5至10年，具體取決于使用情況
• 操作條件：-35°C至+80°C
• 長期儲(chǔ)存：在干燥環(huán)境中儲(chǔ)存10年以上
• 典型儲(chǔ)存和運(yùn)輸：-40°C至+85°C，濕度10至90%，不凝結(jié)
• 產(chǎn)地：美國

-尺寸

• 探測(cè)器模塊：TO-8封裝（0.640英寸高，包括銷，0.600英寸直徑）
• XR100盒：3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）
• X-123箱：3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）
• 原始設(shè)備制造商：配置各不相同

-重量

• 探測(cè)器模塊：0.14箱（4.1克）
• XR100盒：4.4盎司（125克）
• X-123箱：6.3盎司（180克）
• 原始設(shè)備制造商：配置各不相同

• 超快速臺(tái)式和手持式XRF分析儀
• 作為EDS系統(tǒng)的一部分，在SEM中掃描/繪制樣品
• 在線過程控制
• X射線分揀機(jī)
• OEM